HXY30G30NF_DFN5X6B-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6B-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:30A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:9.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该场效应管为NP沟道集成型器件，支持30A的漏极电流（ID）和30V的漏源电压（VDSS），适用于中高功率电源切换与控制电路。其导通电阻低至9.5mΩ（RDON），可显著降低导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围为±20V（VGS），具备良好的驱动适应性与可靠性。N与P沟道的组合设计支持互补工作模式，常用于同步整流、双向电源开关、电池供电系统的电源管理、DC-DC变换器及高效率电压调节模块，适合对电流承载能力与空间布局有较高要求的便携式设备与高性能电子装置。
