HESDNC8VU1AF-A_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：IPP:6A 参数2：VRWM:8V 参数3：CJ:45pF 参数4：LINE:1-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该器件为单通道单向静电与浪涌保护二极管，具备6A的峰值脉冲电流承受能力，能有效抑制瞬态过电压。其反向工作电压为8V，结电容低至45pF，可减少对信号完整性的影响，适用于高速数据线路的防护。器件在正常工作状态下呈现高阻态，当遭遇静电放电或浪涌干扰时迅速导通，将瞬态能量泄放至地，从而保护后级敏感电路。典型应用包括便携式电子设备、通信接口及各类需要防止瞬态干扰的信号端口防护。
