HESDNC3V3B1AF-B_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：IPP:7A 参数2：VRWM:3.3V 参数3：CJ:10pF 参数4：LINE:1-channel 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该器件为单通道双向TVS二极管，专为低电压信号线路的瞬态防护设计。反向工作电压为3.3V，峰值脉冲电流可达7A，具备优异的浪涌吸收能力。结电容典型值低至10pF，适用于高速数据接口，可有效抑制信号失真。双向结构可同时应对正负向瞬态过压事件，响应速度快，钳位电压低，提供可靠的过压保护。适用于便携式设备、消费类电子产品中的USB、HDMI等高速数据端口及低电压电源线路的静电和浪涌防护。
