HESDNC7VB1AF-C_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：IPP:8A 参数2：VRWM:7V 参数3：CJ:20pF 参数4：LINE:1-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该器件为单通道双向ESD保护二极管，专为敏感电子线路设计。其反向工作电压（VRWM）为7V，能够有效保护工作在此电压范围内的信号线。具备20pF的低结电容，可减少对高速信号传输的干扰，适用于数据线保护。在8A的峰值脉冲电流（IPP）下仍能可靠工作，提供稳定的浪涌防护能力。双向结构可同时抑制正负极性瞬态电压，常用于接口电路的静电放电防护，确保系统稳定运行。
