HXY7002KI_SOT-723_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-723 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：8000/圆盘 参数1：ID:0.34A 参数2：VDSS:60V 参数3：RDON:1300mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有60V的漏源耐压（VDSS），可适用于中等电压开关应用。其连续漏极电流（ID）为0.34A，导通电阻（RDON）为1300mΩ，在同类器件中具备良好的导通特性，有助于降低功率损耗。栅源额定电压（VGS）为±20V，提供一定的驱动电压裕度，确保可靠控制。该器件适用于电池供电设备、小型电源转换电路及信号开关系统，常用于DC-DC变换器、负载开关和低功耗驱动电路中，实现高效的电能控制与管理。
