HXY7002CI_SOT-523_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-523 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:0.1A 参数2：VDSS:60V 参数3：RDON:1300mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有60V的漏源耐压（VDSS）和20V的栅源电压范围（VGS），适用于中等电压开关场景。其导通电阻（RDON）为1300mΩ，在低电流条件下可有效控制功耗。连续漏极电流（ID）为0.1A，适合小功率信号切换与负载控制。器件具备良好的栅极控制特性，可用于电源管理、便携设备中的开关电路以及各类电子控制模块，实现高效的电流通断功能。
