HXY2N10I_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:2A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:220mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具备100V漏源电压（VDSS）和20V栅源电压（VGS）耐受能力，连续漏极电流为2A，导通电阻典型值为220mΩ。N沟道结构在栅极施加正向电压时形成导电沟道，适用于低侧开关应用。其参数特性适合中小功率电源转换、电池供电设备的开关控制、LED驱动电路以及便携式电子产品中的负载管理。较高的电压耐受能力配合稳定的导通性能，可满足多种直流电源切换与功率调节需求，适用于对空间和功耗敏感的电路设计。
