HESDUC5VU1AF-A_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：IPP:4A 参数2：VRWM:5V 参数3：CJ:0.6pF 参数4：LINE:1-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该器件为单通道单向静电与浪涌保护二极管，具备4A峰值脉冲电流承受能力，可有效泄放瞬态能量。其反向工作电压为5V，适用于低电压信号线路的过压防护。典型结电容为0.6pF，对高速信号传输影响较小，适合用于数据速率较高的接口。单向结构使其在正向过压事件中快速响应，钳位电压较低，能有效限制瞬态电压幅度。正常工作时呈现高阻态，不影响电路功能。典型应用场景包括高速数据端口、电源管理线路及便携式电子设备中的敏感电路保护设计。
