HXY3N10MI_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:2.2A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:230mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有100V漏源电压（VDSS）和20V栅源电压（VGS）耐压能力，适用于中高压开关应用。在20V栅压驱动下，可承载2.2A连续漏极电流，导通电阻为230mΩ，具备良好的导通特性。器件开关响应迅速，栅极电荷较低，有利于提升高频工作下的转换效率。其结构设计兼顾了电压耐受与导通损耗的平衡，适合用于开关电源、DC-DC变换器、LED驱动电路、电池供电设备的电源管理模块以及小型电子设备中的负载开关等应用场景，满足对稳定性和能效的基本要求。
