HESDUC3V3B1AF-A_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：IPP:4A 参数2：VRWM:3.3V 参数3：CJ:0.3pF 参数4：LINE:1-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该器件是一款单通道双向静电保护二极管，专为高速信号线路设计。其反向工作电压（VRWM）为3.3V，具备0.3pF的低结电容，可有效减少信号衰减，适用于高速数据传输场景。器件能承受4A的峰值脉冲电流（IPP），在瞬态电压事件中提供可靠保护。双向结构使其适用于交流信号线路，能够对正负向的过压事件进行钳位，广泛用于通信接口、便携式电子设备及敏感信号线路的ESD防护。
