HESDNC5VB1AF-C_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：IPP:45A 参数2：VRWM:5V 参数3：CJ:15pF 参数4：LINE:1-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该器件为单通道双向静电与浪涌保护器件，适用于对称信号线路或可能存在双向过压的电路环境。其反向工作电压（VRWM）为5V，具备45A的高峰值脉冲电流（IPP）承受能力，结电容（Cj）低至15pF，确保信号传输的完整性。双向结构可有效抑制正负方向的瞬态过压事件，符合IEC61000-4-2和IEC61000-4-5防护标准。典型应用于高速数据接口、通信端口及便携式电子设备的电源或信号线路，用于防护静电放电、感应雷击等瞬态干扰，保护敏感集成电路免受损坏，维持系统稳定运行。
