HXY3134AF3_DFN1006-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：10000/圆盘 参数1：ID:0.7A 参数2：VDSS:20V 参数3：RDON:220mR 参数4：VGS:10V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有20V的漏源电压（VDSS）和10V的栅源电压（VGS），在VGS=10V时导通电阻为220mΩ，最大连续漏极电流（ID）为0.7A。低导通电阻有助于减少功率损耗，提升能效。适用于中低功率的开关电源、DC-DC转换器及负载开关电路，适合便携式设备与小型化电子产品中的电源管理应用。器件具备良好的热稳定性和响应速度，可用于高频开关场景，满足对空间和效率有较高要求的设计需求。
