HXY3139KI_SOT-723_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-723 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：8000/圆盘 参数1：ID:0.7A 参数2：VDSS:20V 参数3：RDON:450mR 参数4：VGS:10V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该场效应管为P沟道MOSFET，具有20V的漏源击穿电压（VDSS）和10V的最大栅源电压（VGS），可持续承载0.7A的漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为450mΩ。P沟道结构使其在高边开关及电池供电电路中具备简化驱动的优势。器件适用于低电压、小功率的开关应用，如便携式设备中的电源管理、负载开关、逆变保护电路以及各类低功耗DC-DC转换模块，能够在较小电流条件下实现高效的电流通断控制与功率分配功能。
