HXY7002EI_SOT-323_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-323 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:0.1A 参数2：VDSS:60V 参数3：RDON:1300mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有60V的漏源击穿电压（VDSS），确保在瞬态电压波动下具备一定的耐受能力。其1300mΩ的导通电阻（RDON）在低电流负载下可有效减少导通损耗，配合0.1A的连续漏极电流（ID）规格，适用于小功率开关应用。栅源电压范围为±20V，提供稳定的栅极驱动控制。常用于电池供电设备、小型电源模块、LED驱动电路及各类电子信号通断控制场合，实现高效、低功耗的开关功能。
