HESDNC5VB1AF-E_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：IPP:20A 参数2：VRWM:5V 参数3：CJ:40pF 参数4：LINE:1-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该TVS二极管为单通道双向器件，专用于电子设备中敏感电路的瞬态电压抑制。反向工作电压（VRWM）为5V，可兼容常见5V供电系统，20A的峰值脉冲电流（IPP）能力确保其能有效泄放突发性浪涌能量。结电容为40pF，适用于对信号完整性有一定要求的中低速数据线路。双向（Bi）结构可同时抑制正负极性瞬态干扰，适用于USB、音频接口、通信端口等易受静电影响的场景，提供可靠的过压保护。
