HESDUC5VB1AF-C_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：IPP:4A 参数2：VRWM:5V 参数3：CJ:0.5pF 参数4：LINE:1-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该单通道双向TVS二极管具有5V的反向工作电压（VRWM）和4A的峰值脉冲电流（IPP）承受能力，结电容低至0.5pF，适合高速信号线路的瞬态电压防护。双向结构可有效抑制正负极性浪涌脉冲，快速响应并泄放静电放电（ESD）及电快速瞬变能量。器件适用于对信号完整性要求较高的便携式设备与通信接口电路，能为敏感电子元件提供可靠保护，常用于数据传输线、音频接口及高密度电子系统中的过压防护设计。
