HXY2320MI_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:8A 参数2：VDSS:20V 参数3：RDON:11mR 参数4：VGS:12V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有20V漏源电压（VDSS）和12V栅源电压（VGS），持续漏极电流可达8A，导通电阻低至11mΩ。极低的RDSON显著减少导通状态下的功率损耗，适用于高效率电源转换场景。器件适合用于同步整流电路、直流电源开关、电池管理系统中的功率控制以及便携式设备的电源模块。20V耐压适用于中低压应用环境，12V驱动电压便于与常规控制电路匹配，支持快速开关操作，满足对电流承载能力与热性能要求较高的设计需求。
