HXY5N10SI_SOT-89_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-89 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：1000/圆盘 参数1：ID:5A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:114mR 参数4：VGS:25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有100V漏源电压（VDSS）和25V栅源电压（VGS）耐压能力，适用于中高压开关电路。其连续漏极电流（ID）为5A，导通电阻为114mΩ，可在一定功率范围内有效降低导通损耗。N沟道结构在栅极施加适当正电压时实现低阻导通，适合用于电源开关、直流变换器、充电管理模块及负载控制电路。该器件具备良好的开关特性与热稳定性，适用于消费类电子设备、便携式装置及嵌入式系统中的功率控制应用，满足对效率与可靠性有一定要求的中等功率设计场景。
