HESDNC15VB1AF-B_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：IPP:6A 参数2：VRWM:15V 参数3：CJ:20pF 参数4：LINE:1-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该TVS二极管为单通道双向设计，反向截止电压（VRWM）为15V，结电容低至20pF，适用于对信号完整性要求较高的高频线路保护。其峰值脉冲电流（IPP）为6A，具备快速响应特性，可有效吸收静电放电（ESD）和瞬态浪涌能量，防止后级电路受损。双向结构使其能应对正负极性瞬态干扰，常用于数据接口、消费类电子产品及通用信号线路的过压防护，满足IEC61000-4-2等电磁兼容性标准要求。
