HXY4N150MI_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:4A 参数2：VDSS:150V 参数3：RDON:18mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有150V漏源耐压，连续漏极电流为4A，导通电阻低至18mΩ，适用于在20V栅源电压下工作的功率开关电路。高耐压与低导通损耗特性使其适合用于直流电机驱动、开关电源及逆变器中的功率转换级。器件具备快速开关响应能力，可有效提升系统能效，适用于对功率密度和热性能有要求的电路设计。典型应用包括电池供电设备的主控开关、LED驱动电路及中等功率电源模块中的同步整流单元。
