HESDLC24VB1AF-A_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：IPP:3A 参数2：VRWM:24V 参数3：CJ:8pF 参数4：LINE:1-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该TVS二极管为单通道双向设计，适用于电子设备中对瞬态过电压的防护。其反向工作电压（VRWM）为24V，可有效箝位瞬态电压，最大峰值脉冲电流（IPP）为3A，具备可靠的能量吸收能力。结电容（CJ）为8pF，适合用于中等速率信号线路的静电防护。双向结构使其能响应正负极性瞬态干扰，常用于电源端口、数据接口及消费类电子产品的电路保护，符合IEC61000-4-2等电磁兼容标准，为敏感元器件提供稳定防护。
