HXY3400BMI_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:5.8A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:24mR 参数4：VGS:12V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有30V的漏源电压（VDSS）和12V的栅源电压（VGS），在VGS=12V时导通电阻低至24mΩ，最大连续漏极电流（ID）为5.8A。较低的RDSON有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。适用于高效率电源转换电路，如同步整流、DC-DC变换器及电机驱动模块。其高电流承载能力与快速开关特性，适合用于紧凑型电子设备中的功率控制场景，满足对热性能和空间布局有要求的应用设计。
