HESDNC12VU1AF-B_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：IPP:4A 参数2：VRWM:12V 参数3：CJ:28pF 参数4：LINE:1-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该单通道单向TVS二极管适用于直流电压为12V的电路系统，反向工作电压（VRWM）为12V，确保在正常工作状态下不干扰线路运行。其峰值脉冲电流（IPP）为4A（8/20μs波形），可有效吸收瞬态能量，抑制静电放电（ESD）和感应负载切换引起的电压尖峰。结电容低至28pF，适合用于高速信号线或对信号完整性要求较高的接口。单向结构适用于极性固定的电源或信号线路，常用于消费类电子设备中的电源端口、传感器接口及数据传输线路的过压防护。
