HESDNC3V3B2I-A_SOT-23_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：3000/圆盘 参数1：IPP:34A 参数2：VRWM:3.3V 参数3：CJ:60pF 参数4：LINE:2-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该器件为双通道双向ESD保护阵列，适用于多线信号接口的瞬态电压防护。反向工作电压（VRWM）为3.3V，兼容主流低电压逻辑电路，结电容典型值为60pF，可有效降低对高速信号传输的影响。单线通流能力（IPP）达34A（8/20μs波形），具备较强的浪涌抑制性能。采用TVS二极管结构，响应时间快，可高效吸收静电放电及电感性负载切换产生的瞬态能量，保护后级敏感元件。典型应用场景包括通信模块、消费类电子设备的数据线与接口电路保护。
