HXY30N04D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:30A 参数2：VDSS:40V 参数3：RDON:18mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有30A的漏极电流（ID）和40V的漏源电压（VDSS），适用于中高功率开关应用。在20V栅源电压（VGS）驱动下，导通电阻低至18mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。器件具备良好的热稳定性和开关特性，适合用于直流电源转换、电池供电系统中的功率调节以及负载控制电路。其性能表现可满足多类高密度电源设计对响应速度与能效的要求，适用于对空间和功耗敏感的嵌入式电源模块及便携式电子设备中的功率管理方案。
