HXY1N65MIS_SOT-223_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-223 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:1A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:9500mR 参数4：VGS:30V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和30V的栅源电压（VGS）能力，可承载1A的连续漏极电流（ID）。其导通电阻（RDSON）为9.5Ω，在同类高耐压器件中具备合理的导通性能。适用于高压小电流开关应用，如电源待机电路、高压信号切换、小型化适配器及电池供电系统的电压控制模块。凭借高击穿电压特性，可用于隔离控制与直流负载驱动，满足对安全性和空间布局有要求的低功耗功率管理场景。
