HXY20N03DF_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:15mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有30V漏源电压（VDSS）和20V栅源电压（VGS）耐受能力，连续漏极电流（ID）可达20A，导通电阻（RDSON）低至15mΩ。低RDSON有助于降低导通损耗，提升功率转换效率，适用于较高电流负载的开关控制。器件可应用于同步整流、DC-DC电压变换、电池管理系统及大电流电源开关模块。其高电流承载能力与良好的热稳定性，适合集成于紧凑型电源设计和高能效电子设备中，在频繁开关操作下仍能保持性能可靠。
