HESDNC12VB1AF-B_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：IPP:5A 参数2：VRWM:12V 参数3：CJ:10pF 参数4：LINE:1-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该器件为单通道双向静电与浪涌保护二极管，适用于各类电子设备中的瞬态电压抑制。其反向工作电压（VRWM）为12V，可承受5A的峰值脉冲电流（IPP），具备良好的瞬态能量吸收能力。结电容为10pF，适合用于中低速信号线路的保护，双向（Bi-directional）结构可有效抑制正负双向瞬态电压，常用于接口电路、电源端口及数据传输线路的过压防护，满足IEC61000-4-2等电磁兼容标准要求，提升系统运行稳定性。
