HXY4866DF_DFN3X3B-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3B-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:33A 参数2：VDSS:40V 参数3：RDON:14mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该NN沟道场效应管采用双MOSFET设计，单管漏极连续电流ID达33A，漏源电压VDSS为40V，栅源电压范围±20V，导通电阻低至14mΩ。低RDON值有效减少导通损耗，提升系统效率。双N沟道结构适用于大电流开关应用，提供优异的开关速度与功率控制能力，适合多相电源管理、高密度DC-DC转换及高性能负载开关等场景，满足对小型化与高效率有要求的电路设计需求。
