HXY50N04D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:50A 参数2：VDSS:40V 参数3：RDON:11mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有40V的漏源电压（VDSS）和20V的栅源电压（VGS）能力，适合中等电压功率应用。其连续漏极电流可达50A，导通电阻低至11mΩ，在高电流工作条件下可有效降低导通损耗，提升系统效率。器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和开关特性，适用于电源转换、电机驱动及同步整流等电路，是高性能功率开关设计的理想选择之一。
