HXY10P10D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:10A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:180mR 参数4：VGS:25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该P沟道场效应管具有100V的漏源耐压（VDSS）和10A的连续漏极电流（ID），导通电阻为180mΩ（RDS(ON)），在同类P沟道器件中具备较好的导通性能与电压裕度。栅源电压范围为±25V，适用于多种栅极驱动电路，提供可靠的开关控制。P沟道结构使其在高边开关应用中无需额外的电荷泵电路，简化设计。常用于直流电源切换、电池供电设备的电源管理、负载开关及反向电流保护等场景，适合对电路简洁性和系统效率有一定要求的电子设备。
