HESDUC5VU4EF-D_DFN2510-10L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN2510-10L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：3000/圆盘 参数1：IPP:4.5A 参数2：VRWM:5V 参数3：CJ:0.6pF 参数4：LINE:4-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该TVS阵列具备4通道单向设计，适用于多路信号线路的瞬态电压防护。反向工作电压（VRWM）为5V，兼容低电压逻辑电路。在8/20μs浪涌电流测试条件下，通流能力（IPP）可达4.5A，提供较强的过压承受能力。结电容（CJ）典型值为0.6pF，有助于维持高速信号完整性。器件响应速度快，在遭遇静电放电或浪涌干扰时能迅速导通，将瞬态电压钳制在安全范围，保护后端集成电路。常用于通信接口、消费类电子产品及高密度电子设备中的数据线和电源线保护。
