HESDUC5VU4EF-C_DFN2510-10L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN2510-10L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：3000/圆盘 参数1：IPP:3A 参数2：VRWM:5V 参数3：CJ:0.4pF 参数4：LINE:4-channel 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该器件是一款单向静电与浪涌保护阵列，采用4通道设计，适用于多线路信号保护。其反向工作电压（VRWM）为5V，满足低压信号接口需求。在8/20μs电流波形下，通流能力（IPP）达3A，可有效抑制瞬态过电压。结电容（CJ）低至0.4pF，能减少信号衰减，保障高速数据传输完整性。器件在遭遇静电或浪涌事件时，能迅速将电压钳位至安全水平，保护后级敏感电路。典型应用包括高速通信端口、便携式设备接口及精密电子系统的信号线路防护。
