HXY3419CDF_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:25A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:16mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该P沟道场效应管具备30V漏源电压（VDSS）和20V栅源电压（VGS）耐受能力，适用于中低压电源开关场景。其导通电阻低至16mΩ，在20V栅压下可支持25A连续漏极电流，有助于降低导通损耗并提升能效。P沟道结构使其在高边开关应用中具备驱动简便的优势。器件具有良好的热稳定性和快速开关特性，适合用于DC-DC转换电路、便携式设备电源管理、电池供电系统中的负载控制及逆接保护等场合，满足对效率与可靠性要求较高的设计需求。
