HXYG60N03NF_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.3mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具备30V漏源电压（VDSS）和60A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(ON)）低至4.3mΩ，在栅源电压（VGS）为20V时可实现高效导通。器件适用于高效率功率转换应用，可用于同步整流、大电流电源开关及电池管理系统中的主控通断电路。其低导通电阻显著降低导通损耗，减少发热，提升系统能效。适合集成于对功率密度与热性能有要求的高性能电子设备中，支持稳定可靠的高负载工作表现。
