HXY4616S_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:7A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:15mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该NP沟道场效应管具有7A的漏极电流承载能力，漏源电压额定值为30V，适用于中功率电源开关与直流控制电路。其导通电阻低至15mΩ，有助于降低功耗并提高系统效率。栅源电压最大支持20V，具备良好的驱动兼容性。集成N沟道与P沟道单元，便于构建互补对称电路结构，常用于同步整流、H桥电机驱动、双向负载控制及便携式设备中的电源切换模块。器件特性有利于减小导通损耗，提升响应速度与整体性能。
