HXY60N03NF_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5.2mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有30V的漏源电压（VDSS）和60A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(ON)）低至5.2mΩ，在栅源电压（VGS）为10V至20V范围内可实现高效开关。器件适用于高电流开关应用，可用于直流-直流转换电路、大功率电源管理模块及电池驱动系统的主控开关。低导通电阻有效减少功率损耗与发热，提升整体能效，适合对电流承载能力与效率要求较高的高性能电子设备。封装设计有利于散热与布局优化。
