HXY2306I_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:4A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:29mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有30V漏源电压（VDSS）、4A连续漏极电流（ID）及29mΩ低导通电阻，栅源电压最大为20V，适用于中低压功率开关应用。器件在低电压下具备良好的导通特性与开关速度，可有效减少传导损耗。其结构设计有助于实现快速开关响应，适用于便携式设备电源管理、直流电机驱动、开关电源模块及电池供电系统中的同步整流等场景。具备稳定的热性能与栅极可靠性，适合对能效和空间利用率有要求的电路设计。
