HXY70P03DF_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:6.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这是一款P沟道场效应管（MOSFET），具有30V的漏源电压（VDSS）和20V的栅源电压（VGS）能力，适用于中等电压电源开关场景。其连续漏极电流（ID）可达70A，导通电阻（RDON）低至6.5mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。低RDON特性使其在大电流应用中发热量更少，工作更稳定。该器件适用于高效率DC-DC转换、负载开关电路以及电池供电设备中的电源管理模块，适合对导通损耗敏感的功率控制设计。
