MJD127_TO-252-2L_三极管(BJT)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：三极管(BJT) 最小包装：2500/圆盘 参数1：IC:8A 参数2：VCEO:100V 参数3：TYPE:PNP 参数4：HFE:1K-12K 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该PNP型三极管额定集电极电流（IC）为8A，集射极击穿电压（VCEO）达100V，具备较强的电流承载能力。直流电流增益（HFE）范围为1000至12000，属于高增益类型，可在微弱基极电流下实现高效电流控制，适用于精密开关与信号放大电路。器件采用大电流设计，热稳定性较好，适合在电源调节模块、继电器驱动、电机控制及高增益放大电路中使用。其高HFE特性有助于简化前级驱动设计，提升系统响应精度，满足多种中功率模拟与数字应用需求。
