HXY8810AES_TSSOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TSSOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:7.5A 参数2：VDSS:20V 参数3：RDON:11.5mR 参数4：VGS:10V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有20V漏源电压（VDSS）和10V栅源电压（VGS），连续漏极电流达7.5A，导通电阻低至11.5mΩ，可有效降低功率损耗，提高系统效率。采用N沟道设计，具备优异的开关特性和热稳定性，适用于高效率DC-DC转换电路、同步整流拓扑及便携式设备的电源管理模块。其低RDON和较高电流能力适合用于紧凑型电源系统中的主开关或整流元件，广泛应用于消费类电子产品、通信设备及电池供电装置中的电压变换与功率控制场景。
