HESDUC5VB1AF-E_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：IPP:4A 参数2：VRWM:5V 参数3：CJ:0.25pF 参数4：LINE:1-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该静电与浪涌保护器件采用单通道双向设计，具备4A的峰值脉冲电流承受能力，可有效泄放瞬态过电压能量。反向工作电压为5V，适用于低电压电路保护。其结电容仅为0.25pF，能最大限度减少对高速信号完整性的影响，适合高频传输线路。双向拓扑结构可抑制正负极性瞬态干扰，常用于通信接口、便携式电子设备及高密度电路中，为敏感元件提供稳定可靠的过压防护。
