HXY9N20D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:9A 参数2：VDSS:200V 参数3：RDON:290mR 参数4：VGS:30V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这是一款N沟道场效应管，漏源电压（VDSS）可达200V，栅源电压（VGS）最高支持30V，最大连续漏极电流为9A，适用于中高压功率开关应用。其导通电阻为290mΩ，在高电压工作条件下具备良好的导通性能，有助于降低功率损耗。该器件适合用于开关电源、直流变换电路、高边负载驱动及高电压控制回路等场景。凭借较高的电压耐受能力和稳定的工作特性，可满足多种电子设备中对高压开关元件的需求，尤其适用于需要可靠通断控制的嵌入式电源系统。
