HXY20N06ADF_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:60V 参数3：RDON:24mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道场效应管具有60V漏源电压（VDSS）、20A连续漏极电流（ID）和低至24mΩ的导通电阻（RDS(on)），支持最高20V栅源电压（VGS）。器件采用先进沟槽技术，具备优异的导通性能与开关响应，可有效降低功率损耗。适用于中低压直流电源转换、高效率同步整流、便携式设备电源管理模块以及大电流开关电路。其低栅极电荷与良好热稳定性有助于提升系统能效，适合在紧凑型高密度电子设备中实现可靠的功率控制与能量传输。
