HXY30N10BD_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:30A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:37mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管额定漏源电压为100V（VDSS），可承受较高电压应力，适用于升压或高压直流电源环境。在20V栅源电压（VGS）驱动下，导通电阻为37mΩ，支持30A连续漏极电流（ID），具备良好的导通能力与热稳定性。其开关特性适合用于高频率功率转换电路，如开关电源、适配器及电池管理系统中的主开关元件。器件能够在高电压条件下实现较低能量损耗，适用于对效率和可靠性有要求的电源架构，尤其适合集成于紧凑型电子设备的功率级设计中。
