HXY17N10P_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:17A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:80mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有100V漏源击穿电压（VDSS）和17A连续漏极电流（ID），导通电阻为80mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为±20V，具备良好的栅极驱动兼容性。器件在中等电压功率转换中表现出较高的开关效率与热稳定性，适用于直流电源模块、高效率同步整流电路及电池供电系统中的功率控制单元。其封装设计有利于散热管理，适合对空间与能效有要求的紧凑型电子设备应用，支持高频开关工作模式。
