HXY40P03DF_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:35A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:13mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该P沟道场效应管具备35A的漏极电流（ID）和-30V的漏源电压（VDSS），适用于中等功率的直流开关与控制电路。其导通电阻（RDON）为13mΩ，在20V栅源电压（VGS）驱动下可实现较低的导通损耗，有助于提高电源转换效率。P沟道结构使其在高边开关和电池供电系统中具备应用优势，常用于电源反接保护、多路电源切换及负载开关设计，适合集成于便携式电子设备、通信模块及嵌入式主板的功率管理单元中。
