HXY150N03NF-B_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:150A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:2mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有30V的漏源电压（VDSS）和20V的栅源电压（VGS），适用于中等电压开关应用。其连续漏极电流（ID）可达150A，导通电阻（RDON）低至2mΩ，有助于减少导通损耗，提升系统效率。低RDON特性使其在大电流工作条件下仍能保持较低温升，适用于高密度电源转换、高效DC-DC变换模块及高性能电机驱动电路中的功率开关。
