HXY50N06BD_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:50A 参数2：VDSS:60V 参数3：RDON:15mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有60V漏源电压（VDSS）和20V栅源电压（VGS）的耐压能力，适用于中高电压功率切换应用。其连续漏极电流可达50A，导通电阻为15mΩ，在高负载条件下仍能保持较低的导通损耗。器件具备良好的开关特性和热性能，适合用于开关电源、直流-直流转换器、电池管理系统中的功率控制，以及高效率电机驱动电路，可满足对功率密度和能效有较高要求的电子系统设计需求。
