PNU65020EPX-HXY_SMAF_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMAF 类别：碳化硅二极管 最小包装：5000/圆盘 参数1：IF:2A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.3V 参数4：IR:2uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管额定正向电流为2A，反向重复耐压达650V，适用于中高电压功率电路。其正向导通压降为1.3V，在同类器件中具有较低的导通损耗，有助于提高能量转换效率。反向漏电流典型值为2μA，表现出良好的关断特性和高温稳定性。基于碳化硅材料的优异性能，该器件具备快速恢复能力与较小的结电容，适合应用于高效开关电源、高密度AC-DC/DC-DC转换模块以及对热管理要求较高的电力电子设备中，可支持高频运行并降低散热设计复杂度。
